Ficha técnica completa

• Diseño del módulo de estado sólido (SSM)
• Factor de forma M.2 2280
• Interfaz M.2 / M-Key (PCIe 3.1a x4)
• Leer 1700MB / s
• Escribe 1600MB / s
• IOPS 4K lectura / escritura 350k / 400k
• Módulos de memoria 3D-NAND TLC, Toshiba / WD, 96 capas (BiCS4)
• TBW 400TB
• Pronóstico de confiabilidad 1.5 millones de horas (MTTF)
• Controlador Toshiba
• Protocolo NVMe 1.3c
• Funciones de protección de datos N / A
• Consumo de energía no especificado (máximo), 5.3W (operación), 0.05W (inactivo), 0.005W (modo de reposo)
• Dimensiones 80x22x2.23mm
• Características especiales L1.2 en espera de baja potencia